HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N Kanal Mosfet Transistör

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N Kanal Mosfet Transistör

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N Kanal Mosfet Transistör Açıklama

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N Kanal Mosfet Transistör, yüksek güç uygulamalarında sağlam ve güvenilir anahtarlama gerektiren profesyoneller için tasarlanmış yüksek performanslı bir yarı iletken cihazdır. Verimlilik için tasarlanan bu MOSFET, yüksek voltaj ve yüksek akım ortamlarında üstün performans sunar ve bu da onu güç yönetim sistemleri ve endüstriyel uygulamalarda kritik bir bileşen haline getirir.

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N Kanal Mosfet Transistör Özellikleri

• Yüksek Voltaj Derecesi: Zorlu uygulamalarda mükemmel performans sağlayarak 600V'a kadar dayanabilir.
• Akım İşleme: 40A'ya kadar destekler ve bu da onu yüksek akım devreleri için uygun hale getirir.
• Düşük Açık Durum Direnci: Güç kaybını en aza indirir ve elektronik sistemlerde verimliliği artırır.
• TO-247 Paketi: Verimli termal yönetim ve devre tasarımlarına entegrasyon kolaylığı.

HGTG20N60B3 - (HG20N60B3) TO-247 600V 40A N Kanal Mosfet Transistör Uygulamaları

• Güç Kaynağı Sistemleri: Yüksek verimliliği ve güvenilirliği nedeniyle anahtarlamalı güç kaynaklarında kullanım için idealdir.
• Motor Kontrolü: Endüstriyel otomasyon sistemlerinde motorları sürmek için uygundur.
• İnvertörler: Güneş enerjisi sistemleri gibi yenilenebilir enerji uygulamaları için invertör devrelerinde yaygın olarak kullanılır.